共模干扰信号通过机壳或地阻抗的传导和耦合对其它的电源和系统也会产生干扰。（2）共模电感中含有差模的成分。共模电感存在漏感且其两线圈不可能完全对称，所以其本身就可起到差模电感的作用，能控制电路中的差模干扰。（3）电容的选择有利于控制差模干扰。差模（X）电容通常比共模（Y）电容大得多。1．3满足大阻抗失配原则。这里的阻抗是指相对工频而言频率较高的干扰信号来说的。对输入滤波电路而言电网相当于源，而开关整流器则相当于负载。所谓阻抗大失配就是：当源或负载对高频干扰信号的等效内阻为低阻时，输入滤波器应呈高阻；反之则应呈低阻。通常电网是一电压源，而开关整流器本身从输入端看进去，就共模干扰信号而言等效于一个电容和电流源的并联，因此，对高频信号二者均属于低阻。1．4工频等效阻抗尽可能低，高频(高于某一截止频率的信号)等效阻抗尽可能高(插入损耗尽可能大)。频段范围为几十KHZ～几百MHZ。这一点主要取决于元器件、原材料的选择及其参数。2、优化的输入滤波电路根据上面的要求，可得到优化的输入滤波电路如图1.所示，从图中可看出：与传统的输入滤波电路相比，该滤波电路去掉了差模电感，滤波器的输入输出也不需再加共模电容。加注入信号或电路上人为短路需综合考虑，不能超过允许范围，以免损坏元器件。韶关史赛克STRYKERX7000冷光源主机芯片级维修
不谈很特殊的情况。反激的有点成本低，调试容易（相对于半桥，全桥），主要是磁芯单向励磁，功率由局限性，效率也不高，主要是硬开关，漏感大等等原因。全电压范围（85V-264V）效率一般在80%以下，单电压达到80%很容易。正激特点：功率适中，可做中小功率，功率一般在200W以下，当然可以做很大功率，只是不常常这么做，原因是正激和反激一样单向励磁，做大功率磁芯体积要求大，当然采用2个变压器串并联的也有，注意只谈一般情形，不误导新人。正激有点，成本适中，当然比反激高，优点效率比反激高，尤其采用有源箝位做原边吸收，将漏感能量重新利用。半桥：目前比较火的是LLC谐振半桥，中小功率，大功率通吃型。（一般大于100W小于3KW）。特点成本比反激正激高，因为多用了1个MOS管（双向励磁）和1个整流管，控制IC也贵，环路设计业复杂（一般采用运放，尤其还要做电流环）。优点:采用软开关，EMC好，效率极高，比正激高，我做过960WLLC,效率可达96%以上（全电压）（当然PFC是采用无桥方式）。其它半桥我不推荐，至少我不会去用，比较老的不对称桥，很难做到软开关，LLC成熟以前用的多，现在很少用，至少艾默生等大公司都倾向于LLC，跟着主流走一般都不会错。韶关史赛克STRYKERX7000冷光源主机芯片级维修相应电路如电源滤波变差等。
如果想要将R1进一步减小，可采用两个或多个电阻并联的形式，这可根据具体情况而定。对于50A单体采用两个电阻并联，则放电电阻为R1=100K。2、X、Y电容2．1X电容（1）X电容容量的选定X电容容量的选择受到放电时间的限制，根据安规要求，断电后输入端口电压放电到安全电压峰值，可根据下面的经验公式估算：设Cx为所有X电容的总和。Cx<1/(×R1)（3）将R1=100K代入上式得：Cx<，可取Cx=，X电容共有两个，每个X电容的容量为。2）X电容的耐压要求X电容的选择还要考虑耐压能力（按额定电压的）：由于X电容靠近电源线输入端，所以必须具备承受瞬时高电压（高达1200V）的能力。（3）X电容的频率特性（低的ESR和ESL）：对同样材质的电容器，容量越小，频率特性越好。电容器典型的频率特性是：随着频率的增加，电容总的等效容抗减小，但当频率增加到某一值时，容抗却反而开始增加。假设把这一频率定义为电容容抗的转折频率，则电容容量越小，转折频率越高即频率特性越好。因此，为得到相同的电容量，可采用将若干小容量电容并联的方式，这样可提高电容的高频特性。综上所述，电路中的X电容，每个X电容可选用。其额定电压为275Vac，瞬时耐压为：1500Vac/1S，2500Vac/。2．2Y电容。
从而扩大了均压电流。将电路进一步改进，可以使比较大均压电流达到10A，这样就基本上解决了超级电容器在充电过程中可能出现的严重的过电压问题。不可否认的是，上述均压电路都是耗能型，电路在动作时会产生比较大的损耗，为了大幅度降低均压过程中的损耗，采用非能量损耗型均压电路将是超级电容器均压电路的比较好选择。改进型动态电压均衡方式图2电路存在的问题实际上是电路的开环增益太高，导致了两个超级电容器电压稍有差异就动作。如果放大器A的开环增益为100dB，则克服晶体管Q1、Q2发射结电压*需要7μV，因此均压电路将始终不断的调节，将超级电容器储存的电能消耗在电压均衡过程中。在实际应用中两个超级电容器的电压偏差允许在一个比较小的数值就可以了，例如10mV~30mV就可以满足实际应用要求，如20mV。根据这个思路，可以将均衡电路作的不敏感，在电压偏差低于20mV电路不动作，只有电压偏差大于20mV后电路才动作。电路可以用图4电路实现。这样，在两个超级电容器电压偏差小于20mV时电路处于静止状态，电路的损耗*为于放大器的损耗和分压电阻的损耗。在维修过程中，维修人员必须小心谨慎。
这种特性也带来了应用是的问题，也就是充电过程中超级电容器组中的某些超级电容器单体会出现比较严重的过电压。例如，应用、Ω超级电容器144只串联的390V/4F超级电容器组用7A电流充电到390V时，单体电压比较高的达到，比较低的**。在充电电压维持在390V的条件下，采用图1均压电路均衡各单体电压，各单体电压达到基本一致（）的时间需要7~10分钟；如果采用更高的充电电流，其单体电压的分散性更大。应用限幅型均电路造成单体电压严重过电压的原因就是只有单体电压超过限幅值均压电路才开始动作所致。如果能在超级电容器充电过程中实现单体电压的“均分”，可以比较好的控制单体过电压，这种电压均分方式称为动态均压。动态电压均压电路及特点动态电压均压电路的基本原理是比较相邻的两个超级电容器的电压是否一致，如果不同电路动作，将电压相对高的超级电容器旁路部分电流降低充电电压升高的速率，使两个超级电容器的充电电压的上升速率尽可能一致，如图2的MAXWELL动态均压电路。这种电路在原理上解决超级电容器组充电过程的单体电压均分问题。然而在实际上比非如此。图2电路的比较低工作电压是，这表明在超级电容器充电的前半程这个电路时不工作的。不仅如此。仪器拆卸过程中使用合适工具，不野蛮操作。韶关史赛克STRYKERX7000冷光源主机芯片级维修
设法使仪器对外来干扰不敏感，如采用屏蔽技术、滤波技术或加强接地来实现。韶关史赛克STRYKERX7000冷光源主机芯片级维修
肖特基二极管和快恢复二极管的对比区别快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode），具有正向压降低（）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒。前者的优点还有低功耗，大电流，超高速。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。韶关史赛克STRYKERX7000冷光源主机芯片级维修