碳化硅器件与普通硅相比，碳化硅器件的耐压性是同等硅器件的10倍。同时，碳化硅材料对电力的能耗极低，是一种理想的节能材料。如果按照年产40万片碳化硅晶片算，只只应用在照明领域，每年减耗的电能就相当于节省2600万吨标准煤。碳化硅产品都有它的一定的使用期限， 一旦到达一定的时候就要及时的更换碳化硅，不能为了节约材料，就超磨损要求使用，这是种极不安全的违章行为。当碳化硅微粉磨损到直径比卡盘直径大10mm时就应更换。从库房领出的新碳化硅微粉不一定是合格的，甚至从碳化硅厂家买进的也不一定是合格的产品。任何碳化硅微粉都有它一定的有效期限，在有效期限内使用，它是合格产品；超过有效期使用，就不一定是合格的。目前，碳化硅制成的晶片主要应用在两个方面。一个是作为衬底用于制作射频器件，比如今年工作报告提到的新基建中的5G基站建设、城际高速铁路、新能源汽车充电桩等。就5G基站建设来说，5G之所以传输速度快，是因为它有强大的5G芯片。而碳化硅晶片，就是5G芯片较理想的衬底。碳化硅是一种人工合成的碳化物。江苏碳化硅衬底材料
碳化硅在加工与生产过程当中粒形的好坏、微粉的显微镜下形态，都决定了加工产品时候对于品质的影响。对于碳化硅品质的要求一方面是加工设备的选择另一方面是工艺与原料的筛选尤为重要。因受到加工设备的限制粒形的形态只能加工到近似六面棱形体、其中圆形、片状、针形都是由于设备加工形式的不同所造成粒径的不同。而国内常规加工设备也多以：颚破、冲击式破碎机与粉体加工的雷蒙磨、超细磨、球磨机为主。每个设备在破碎与制粉过程当中往往都不能生出近似完美的产品形态，所以在生产上只能加工到近似客户的使用要求范围内，以达到的碳化硅产品形态。江苏碳化硅衬底材料碳化硅微粉的制造与生产不同于其他物料的制粉作业，因为在加工的过程当中制粉的同时并要保证物料的粒形度。
碳化硅的溶解时熔融状态逐渐分解的，扩散的，比较慢，所以在炉内加入碳化硅的时间应该比其他合金早一些，一般在炉料熔炼到炉内三分之一到一半时加入，让其有充分的温度，时间条件去分解。碳化硅厂家分享，虽然碳化硅常被用作耐材使用，但是它也有着较好的耐磨性，也被用作磨料使用。碳化硅在钢材冶炼中也常被用作添加剂使用，它不但可以利用硅与氧元素之间的亲和作用来脱氧，而且还可以为钢液补充所缺乏的碳源，也是受到很多厂家的认可。
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、**、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处于优先地位，已成功掌握76mm(3英寸)超大宝石级SiC2晶体生长重要技术工艺，达到国际2001年先进水平。碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。绿碳化硅微粉粒径需要电阻法颗粒分析仪效率非常的高。
碳化硅现已公认为是一种能够可靠替代硅的技术。许多电源模块和电源逆变器制造商已在其未来产品路线图中规划使用SiC技术。这种宽禁带技术大幅降低了特定负载下的开关损耗和传导损耗，改善了散热管理，提供了前所未有的能效。在功率电子系统中，散热设计至关重要，它能确保高能量密度，同时缩小电路尺寸。在这些应用中，SiC因其3倍于硅半导体的导热系数而成为理想的半导体材料。SiC技术适用于功率较高的项目，例如电动机、驱动器和逆变器。电驱动器制造商正在开发新的驱动电路，以满足转换器对更高开关频率的需求，并采用更复杂巧妙的拓扑结构来减小电磁干扰（EMI）。碳化硅作为冶金脱氧剂和耐高温材料。江苏碳化硅衬底材料
碳化硅制品还应用在许多非直接加热式窑炉结构内，如锌蒸馏塔、立式及卧式蒸馏罐等。江苏碳化硅衬底材料
碳化硅耐火材料是以碳化硅为原料和主晶相的耐火制品。因为碳化硅耐火制品的原料和主晶相主要是碳化硅，所以制品的许多性质都取决于碳化硅的性质。这类耐火制品中，碳化硅为瘠性料，必须由结合剂将其黏结为整体，故结合剂的性质和粘结形式对制品的性质有相当大的影响。碳化硅是硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，分为天然碳化硅和人工合成碳化硅。天然碳化硅称为碳硅石，储量甚少，无开采价值。工业上用的碳化硅都是由人工合成的。江苏碳化硅衬底材料