高频绝缘陶瓷又称装置陶瓷，在电子设备中用于安装、固定、保护元件，作为载流导体的绝缘支撑以及各种集成电路基片的陶瓷。具有介电常数小，介质损耗低，机械强度高，以及较高的介电强度、绝缘电阻和热导率等。常用的高频绝缘陶瓷有高铝瓷、滑石瓷等。随着电子工业的发展，尤其是厚膜、薄膜电路及微波集成电路的问世，对封装陶瓷和基片提出了更高的要求，已有很多新品种，例如氧化铍瓷、氮化硼瓷等。目前正研究发展氮化铝瓷和碳化硅瓷，它们的共同特点是热导率较高。高铝瓷以 α－氧化铝为主晶相，含氧化铝在75%以上的各种陶瓷。具有优良的机电性能，是高频绝缘陶瓷应用较普遍的一种。可用来制造超高频、大功率电真空器件的绝缘零件，也可用来制造真空电容器的陶瓷管壳、微波管输能窗的陶瓷组件和多种陶瓷基片等。绝缘陶瓷涂层有:氧化铝陶瓷涂层、氧化锆陶瓷涂层、氧化铬陶瓷涂层等。南京高压绝缘陶瓷报价
绝缘陶瓷又称装置陶瓷，用于在电子设备上安装、固定、保护元件，是通电导体的绝缘支撑和各种集成电路板的陶瓷。 介电常数小，介电损耗低，机械强度高，介电强度高，绝缘电阻和导热系数等。常用的绝缘陶瓷有氧化铝陶瓷、滑石陶瓷等。随着电子工业的发展，特别是随着厚膜、薄膜电路和微波集成电路的出现，对封装陶瓷和衬底提出了更高的要求，已有很多新品种，如氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化硼陶瓷等。目前正在研究氮化铝瓷和碳化硅瓷的发展，其共同特点是导热系数高。在许多工业领域，氧化铝绝缘陶瓷的应用较广。①氧化铝瓷器以α-氧化铝为主晶相，含有75%以上氧化铝的各种陶瓷。 具有优良的机电性能，是绝缘陶瓷应用较普遍的一种。也可用于制造超高频、大功率电气真空装置的绝缘部件、真空电容器的陶瓷封装、微波管的输出窗的陶瓷封装和各种陶瓷基板等。②滑石瓷以天然矿物滑石为主原料，以顽辉石为主结晶相的陶瓷。 介电性能优良，价格便宜。 缺点是热膨胀系数大，热稳定性差，强度低于氧化铝瓷。滑石瓷器普遍应用于带式开关、插座、可变电容器的接头和轴、瓷板、线圈骨架、可变电感骨架等的制造。南京高压绝缘陶瓷报价氧化铍陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷。
氧化铝陶瓷精加工与封装工序：有些氧化铝陶瓷材料在完成烧结后，尚需进行精加工。如可用作人工骨的制品要求表面有很高的光洁度、如镜面一样，以增加润滑性。由于氧化铝陶瓷材料硬度较高，需用更硬的研磨抛光砖材料对其作精加工。如SIC、B4C或金刚钻等。通常采用由粗到细磨料逐级磨削，较终表面抛光。一般可采用<1μm微米的Al2O3微粉或金刚钻膏进行研磨抛光。此外激光加工及超声波加工研磨及抛光的方法亦可采用。 氧化铝陶瓷强化工艺：为了增强氧化铝陶瓷，明显提高其力学强度，国外新推一种氧化铝陶瓷强化工艺。该工艺新颖简单，所采取的技术手段是在氧化铝陶瓷表面，采用电子射线真空镀膜、溅射真空镀膜或化学气相蒸镀方法，镀上一层硅化合物薄膜，在1200℃～1580℃的加热处理，使氧化铝陶瓷钢化。经强化的氧化铝陶瓷的力学强度可在原基础上大幅度增长，获得具有超高强度的氧化铝陶瓷。
莫来石陶瓷（mullite Ceramic）是主晶相为莫来石（3Al2O3·2SiO2）的一类陶瓷总称。若是以合成的超细高纯莫来石粉末制备出的不含玻璃相的莫来石瓷，又称新莫来石陶瓷/高纯莫来石陶瓷。莫来石陶瓷具有熔点高、高温化学稳定性好、耐腐蚀、低膨胀系数、低导热系数和良好的高温蠕变特性，更引人注目的是其抗弯强度和断裂韧性会随温度的升高不降反升，1300℃时的强度是常温时的1.7倍。这种材料的缺点是常温强度过低、韧性较差。莫来石陶瓷具有良好的高温稳定性和抗热震性，因此还普遍应用于高温防护管、热电偶保护管以及金属熔融坩埚等耐热材料，证明其对高温气体抗腐蚀性优于氧化铝陶瓷。生产高铝瓷所用的原料是工业氧化铝，它是将矿产铝矾土用碱法或酸法处理而得。
Si3N4 陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，较能发挥优势的是其在高温领域中的应用。Si3N4 今后的发展方向是：⑴充分发挥和利用Si3N4 本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4 粉末烧结时，开发一些新的助熔剂，研究和控制现有助熔剂的较佳成分；⑶改善制粉、成型和烧结工艺； ⑷研制Si3N4 与SiC等材料的复合化，以便制取更多的高性能复合材料。Si3N4 陶瓷等在汽车发动机上的应用，为新型高温结构材料的发展开创了新局面。汽车工业本身就是一项集各种科技之大成的多学科性工业，中国是具有悠久历史的文明古国，曾在陶瓷发展史上做出过辉煌的业绩，随着创新开放的进程，有朝一日，中国也必然跻身于世界汽车工业大国之列，为陶瓷事业的发展再创辉煌。滑石瓷普遍用于制造波段开关、插座、可调电容器的定片和轴、瓷板、线圈骨架、可变电感骨架等。南京高压绝缘陶瓷报价
氮化硼瓷以六方氮化硼为主晶相的陶瓷。南京高压绝缘陶瓷报价
氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高，故其耐热冲击性较佳。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会破裂。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。由于Si3N4 的理论密度低，比钢和工程超耐热合金钢轻得多，所以，在那些要求材料具有高强度、低密度、耐高温等性质的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金钢是再合适不过了。南京高压绝缘陶瓷报价