2、钯 靶材 99.99% 常规尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、电镜钯片常规尺寸：φ57*0.1mm；φ57*0.2mm；φ58*0.1mm；φ58*0.2mm 4、钯 箔片 99.99% 常规尺寸：100*100*0.2mm等，尺寸可定做 二、其他服务： 打穿的钯靶材、钯残料可提供回收再加工服务。 回收流程如下： 称重----清洗、提纯---熔炼加工---靶材等成品 供应高纯靶,钯靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 产品编码 产品名称 规格 应用 Au-G5034 金 颗粒 99.999% φ3*4mm 热蒸发、电子束镀膜 Pt-G4028 铂 颗粒 99.99% φ2*8mm 热蒸发、电子束镀膜 Ag-G4025 银 颗粒 99.99% φ2*5mm 热蒸发、电子束镀膜 Pd-G3536 钯 颗粒 99.95% φ3*6mm 热蒸发、电子束镀膜 Al-G5033 铝 颗粒 99.999% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Cr-G3501 铬 颗粒 99.95% 1-3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ti-G4533 钛 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 Ni-G4533 镍 颗粒 99.995% φ3*3mm 热蒸发、电子束镀膜 S-G5002 硫 颗粒 99.999% 1-6mm 热蒸发、通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。氮化硼靶功能
真空熔炼 Mn-F2701 电解锰 片状 99.7% 1-10mm 真空熔炼 Co-F3501 电解钴 片状 99.95% 1-10mm 真空熔炼 Co-I3504 电积钴 块状 99.95% 40*40*5mm 真空熔炼 Co-G3533 钴 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 W-G3536 m 真空熔炼 Ta-G3533 钽 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Nb-G3533 铌 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Mo-G3533 m 真空熔炼 Si-I5011 多晶硅 块状 99.999% 不规则块状 真空熔炼 In-G4501 铟 颗粒 99.995% 1-3mm 真空熔炼 Zr-I2402 海绵锆 块状 99.4% 3-25mm 真空熔炼 Hf-I2402 海 m 真空熔炼 Ge-G5006 锗 颗粒 99.999% 3-5mm 真空熔炼 La-I3011 镧 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Er-I3011 铒 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Dy-I3011 镝 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 W-P3504 钨 粉末 99.95% 325目 粉末冶金 Al-P3504 &nbs 5目 粉末冶金 TiC-P2514 碳化钛 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 HfC-P2514 碳化铪 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 ZrB2-P2519 二硼化锆 粉末 99.5% 10μm 粉末冶金 Ti-F2612 .2*L 耗材配件 Ta-F3513 钽 0*0.2mm 耗材配件 Nb-F3513 *100*0.2mm 耗材配件 合金定制 流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；氮化硼靶功能由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内。
溅射靶材的制备
溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类，除严格控制材料纯度、致密度、晶粒度以及结晶取向之外，对热处理条件、后续加工方法等亦需加以严格控制。
一、粉末冶金法
粉末冶金法制备靶材时，其关键在于：(1)选择高纯、超细粉末作为原料；(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。
二、熔融铸造法
熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。为保证铸锭中杂质元素含量尽可能低，通常其冶炼和浇注在真空或保护性气氛下进行。但铸造过程中，材料组织内部难免存在一定的孔隙率，这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅，从而影响溅射薄膜的质量。为此，需要后续热加工和热处理工艺降低其孔隙率。
什么是DLC薄膜？类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜，是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称，它是一类性质近似于金刚石，具有高硬度，高电阻率。良好光学性能等，同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式，从而使其终产生不同的物质：金刚石（diamond）—碳碳以sp3键的形式结合；石墨（graphite）—碳碳以sp2键的形式结合。而类金刚石（DLC）—碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合，生成的无定形碳的一种亚稳定形态，它没有严格的定义，可以包括很宽性质范围的非晶碳，因此兼具了金刚石和石墨的优良特性；所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料，碳原子间的键合方式是共价键，主要包含sp2和sp3两种杂化键，而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。
靶中毒现象
(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。
4、靶中毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会***降低。 当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。氮化硼靶功能
一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。氮化硼靶功能
磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围 (1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。 (3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率 磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。 考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。氮化硼靶功能
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。