靶中毒的影响因素
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。 对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。苏州磁控溅射靶工厂
直流磁控溅射制备锌-锑热电薄膜的技术探讨 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，热电薄膜化有助于热电材料减低热导率，从而能够有效的提高材料的热电转换效率，因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是采用的P 型热电半导体材料之一，但由于其较低的热电优值，所以没有得到普遍的应用。 但近几年研究发现，在263 K~767K 温度区间稳定存在的β-Zn4Sb3 具有非常优异的热电性能，材料少含稀土材料以及可适用于中温，被国内外认为是具有前景的中温热电材料之一。因此，本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。 结果表明，选取适当的溅射Zn和Sb的功率条件，溅射完成合金薄膜后在Ar 气氛下进行623 K 退火热处理，可形成具有单一β-Zn4Sb3相结构的Zn-Sb 热电薄膜，且薄膜颗粒大，较致密，所制备的热电薄膜具有优良的热电性能。苏州磁控溅射靶工厂由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子。
规格说明： 产品规格 靶材可定制 产品数量 1000 包装说明 双层真空包装 价格说明 1000 ◆ 产品说明： 高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材 钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g•cm-3：12.02 熔 点/℃：1552 蒸发温度/℃：1460 沸 点/℃：3140 汽化温度/℃：1317 比 电 阻 率（0℃）/uΩ•cm：10.6 熔 化 热/kJ•mol-1：16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1：361.7 热 导 率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1：0.753 电阻温度系 外 观：银白色 蒸 发 源（丝、片）：W（镀Al2O3） 坩 埚：Al2O3 性 质：与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB 内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。
真空镀膜离子镀简析 真空镀膜离子镀，电镀混合废水处理生化过程与传统的物理和化学过程，生物絮凝剂之间的区别可连续操作过程中的育种，生物絮凝剂，以去除金属离子与生物絮凝增加量的增加的剂量，传统的离子交换过程中的离子交换树脂的交换容量是有限的，饱和吸附后，不再能够除去金属离子。 一种离子镀系统，以基片作为阴极，阳极壳，惰性气体(氩气)，以产生辉光放电。从蒸发源的分子通过等离子体的电离区域。的正离子被加速衬底台到衬底表面上的负电压。化学沉淀法，化学主体的影响是一定的，没有它们的增殖。离子镀工艺结合蒸发(高沉积速率)和溅射层(良好的薄膜粘合)的工艺特点，并具有很好的衍射，对于形状复杂的工件涂层。 真空镀膜离子镀是真空蒸发和溅射阴极技术的组合。未电离的中性原子(约95%的蒸发材料)也沉积在衬底或真空腔室的壁表面。场对在蒸汽分子(离子能量约几百千电子伏特)和氩离子溅射的基板清洗效果，使薄膜的粘合强度的加果是增加了。蒸发后的材料的分子的电子碰撞电离离子沉积在固体表面，称为离子镀。化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。
磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外，还受靶面的功率密度，亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率 在影响溅射系数的诸因数中，当靶材、溅射气体等业已选定之后，比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说，在磁控溅射正常工艺范围内，放电电压越高，磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比，因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个：一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率 一般来说，磁控靶的溅射功率增高时，薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件，就是：加在磁控靶的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量，足以大过靶材的“溅射能量阀值”。射靶材应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域。苏州磁控溅射靶工厂
背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发终会造成靶材开裂或脱靶。苏州磁控溅射靶工厂
磁控溅射离子镀 (1)在基体和工件上是否施加(直流或脉冲)负偏压，利用负偏压对离子的吸引和加速作用，是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区别。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀 ;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀，这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。 (2)磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射，又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进行轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件表面的轰击，可有效基片和工件表面的气体和污物;使成膜过程中，膜层表面始终保持清洁状态。 (3) 磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪扩散层)，提高膜层附着强度;可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体，实现材料表面合金化，甚至出现新的晶相结构。 (4)磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。苏州磁控溅射靶工厂
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。