非晶硅薄膜的制备方法 非晶硅薄膜的制备方法有很多，如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有：化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下，使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组，从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高温退火和激光诱导晶化的方式，利用X- 射线衍射及拉曼光谱，对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。苏州氧化铅靶材作用
靶材的杂质含量。在经过一系列的靶材工艺处理后靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。因为用处不一样，所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。比如现在的半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。 苏州氧化铅靶材作用熔融铸造法是制作溅射靶材的基本方法之一。
由于操作人员同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光，因此操作人员施加在靶材侧壁表面及侧棱上的力度差异小，抛光工艺结束后，靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得抛光表面具有良好的均一性，有助于改善溅射镀膜质量。若分步骤对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱表面进行抛光，操作人员在两个步骤中施加的力度容易差别较大，造成抛光处理后，靶材侧壁表面与侧棱表面粗糙度差异大，使得靶材侧壁表面与侧棱表面交接处具有台阶。在溅射镀膜过程中，所述台阶容易导致前列放电，影响溅射镀膜的均一性，造成镀膜质量差。
抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均，即所述抛光片第二部分320的厚度不均。
抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等，均为2mm～3mm。抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中，所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。
目前市场上常见的合金靶材有哪些？ 钛铝靶材,TiAl靶材，钛硅靶材,TiSi靶材，钛钨靶材,TiW靶材，钨钛靶材WTi靶材，钛铝硅靶材,TiAlSi靶材，铬铝靶材,CrAl靶材，铬硅靶材,CrSi靶材，硅铝靶材,SiAl靶材，锌锡靶材,ZnSn靶材，锌铝靶材,ZnAl靶材，铝铜靶材,AlCu靶材，镍铬靶材,NiCr靶材，镍钒靶材,NiV靶材，镍铁靶材,NiFe靶材，镍铜靶材,NiCu靶材，铁钴靶材,FeCo靶材，钛铌靶材,TiNb靶材，钛锆靶材,TiZr靶材，铟锡靶材,InSn靶材，铜锆靶材,CuZr靶材，镁锌钙靶材,MgZnCa靶材，镍铬铜靶材,NiCrCu靶材，钼铌靶材,MoNb靶材，铝钕靶材,AlNd靶材，铝钪靶材,AlSc靶材，银铝靶材,AgAl靶材， 铬铝硅靶材,CrAlSi靶材，镝铝靶材,DyAl靶材，铌锆靶材,NbZr靶材等等。选择高纯、超细粉末作为原料。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明提供的靶材抛光装置的技术方案中，所述靶材抛光装置包括：固定板，所述固定板包括顶板和位于所述顶板一侧的侧板；抛光片，位于所述固定板内侧面上，其中位于固定板弯折处的抛光片呈弧状。位于固定板弯折处的抛光片表面适于对靶材经圆角处理的侧棱进行抛光，位于侧板上的所述抛光片表面适于对靶材侧壁表面进行抛光。所述靶材抛光装置能够对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱同时进行抛光，因此所述靶材抛光装置有助于提高对靶材表面进行抛光的作业效率。
可选方案中，所述防护层为弹性材料，所述防护层的质地软，能够在所述固定板及靶材间提供缓冲，避免所述固定板触撞靶材导致靶材受损。 阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。苏州氧化铅靶材作用
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。苏州氧化铅靶材作用
靶材材质对靶溅射电压的影响 ：
1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。
2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。
3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。
4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。 苏州氧化铅靶材作用
江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。